场效应晶体管及制备方法、电子设备[发明专利]

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专利名称：场效应晶体管及制备方法、电子设备专利类型：发明专利发明人：曹群,肖秀光

申请号：CN2018115678.2申请日：20181221公开号：CN1113793A公开日：20200630

摘要：本发明公开了场效应晶体管及制备方法、电子设备。该场效应晶体管包括：SiC衬底；SiC衬底上的SiC外延层，具有第一掺杂类型，SiC外延层的表面内设置有多个体区组，每个体区组包括两个体区，体区中设置有源区和接触区；SiC外延层上的第二类型掺杂层，位于同一个体区组中两个体区之间，具有第二掺杂类型，包括单晶硅层；SiC外延层上的源极，包括第一源极和第二源极，第一源极覆盖接触区和部分源区，第二源极覆盖第二类型掺杂层的至少一部分；SiC外延层上的栅极和栅氧化层，位于第一源极和第二源极之间，栅氧化层覆盖部分源区和体区，栅极覆盖栅氧化层；SiC衬底下的漏极。该场效应晶体管集成了二极管，兼顾场效应二极管和二极管的性能，提升了系统的可靠性。

申请人：深圳比亚迪微电子有限公司

地址：518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

国籍：CN

代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：张润

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