基于磁机电双谐振式的巨磁阻抗磁传感器[发明专利]

来源：爱问旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于磁机电双谐振式的巨磁阻抗磁传感器专利类型：发明专利发明人：王遥,陈蕾

申请号：CN201910369605.0申请日：20190506公开号：CN11166A公开日：20201106

摘要：一种基于磁机电双谐振式的巨磁阻抗磁传感器，由基于多层变截面梭型铁基纳米晶软磁薄膜、第一叠层平面线圈、第二叠层平面线圈、压电/超磁致伸缩层合物阵列和压电梁驱动的MEMS可调电容组成，本发明能有效地将最优工作频率降至MHz以下，并突破了软磁材料的磁导率，通过外部磁场和随磁场变化的磁力，进一步增大了磁畴运动随磁场变化的灵敏度。通过调节直流电压对压电驱动层的输入，以同时引起GMI磁传感器的磁机和电容电感双谐振，进一步提高了探测灵敏度。

申请人：上海交通大学

地址：200240 上海市闵行区东川路800号

国籍：CN

代理机构：上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：张宁展

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文