专利名称：半导体发光元件专利类型：发明专利发明人：幡俊雄
申请号：CN98803436.0申请日：19980318公开号：CN12506A公开日：20000412
摘要：本发明涉及半导体发光元件,其特征在于,由在表面具有电流阻挡区域和电流注入区域的半导体层、为构成所述电流阻挡区域而在所述半导体层上形成的电流阻挡层、在该阻挡层上形成的衬垫电极、以及为构成所述电流注入区域而在所述半导体层上形成的透光性电极构成,所述衬垫电极具有与透光性电极连接的电极连接部。利用这样的半导体发光元件,可防止发生由于透光性电极断线而造成的电流不能注入发光元件、透光性电极电阻变高的情况,能高成品率地制作工作性能良好的发光元件。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：沈昭坤
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