的折射率。 资料来源:华东师大《光学教程》
真钻石 “苏联钻” 折光率 2.42 2.15 色散 0.044 0.060 双折射率 无 无 硬度 10 8.5 比重 3.52 5.6—6 注:“苏联钻”,立方氧化锆钻石
一般情况下,基础玻璃的折射率为1.5—1.7,而斜锆石的折射率为2.2,锆英石的折射率为1.94;SnO2可以降低釉熔体的表面张力,且具有较高地折射率(2.09)
CR-39即折射率1.499单体
有机高分子化学
日开发出新型热固性树脂
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2004-7-28 9:04:29 来源:中国化工网
日前,日本Nitto Denko Corp公司开发出一种折射系数为1.7的芳香族热固性树脂,高于折射率1.56的环氧树脂,且这种树脂的耐热性也比环氧树脂高30%。
该公司称,折射系数的提高是由于在其中添加了二氧化钛、二氧化锆及其它金属氧化物的纳米级粒子。据介绍,这种树脂主要用途在电器领域,包括用于涂料中可提高白色发光二极管(LEDs)的发光率和吸光率,液晶显示器(LCDs)和其它显示器的防反射膜,以及在电荷耦
合器件(CCDs)中作为微透镜使其能接受大量光等。
金红石型和锐钛矿型TiO2颜料的平均折射率分别为2.71和2.57,用2.71来计算,
氧化锌颜料的相对密度为5.45 ~ 5.65,吸油度量为10 ~ 25 g/100 g,折射率为2.03 ~ 2.08。 商业上98%颜料级硫化锌的相对密度为4.0 ~ 4.1,折射率为2.37
三氧化锑颜料的折射率约为2.0,
名称 折射率 透光范围 蒸发温度(℃) 蒸发源 应用
三氧化二铝 1.62/550n 200~5000 2000-2200 电子枪 增透膜 多层膜
氟化铈 1.63/500nm 300~5000 1429 钼,钽,电子枪 增透膜、多层膜
氧化铈 2.35/500nm 400~16000 1950 电子枪 增透膜 冰晶石 1.33/500nm 250~14000 1000 钼,钽,电子枪 增透膜
氧化铪 1.95/500nm 230~7000 2500 电子枪 紫外-近红外多层膜
透明导电膜料2.0/500nm 400~800 1450 电子枪,Al2O3 透明导电膜 氟化钙 1.23-1.42/550nm150~12000 1280~1400 钼,钽,钨 增透膜
氟化镁 1.38/550nm 130~7000 1300~1600 钼,钽,钨 增透膜、多层膜 氧化镁 1.7/500nm 200~8000 2000 电子枪 多层膜 锆钛混合物 2.1/500nm 400~7000 2300 钨,电子枪 增透膜
氧化钪 1.89/500nm 250~5000 2430 电子枪 紫外多层膜 二氧化硅 1.45/500nm 200~2000 1600~2200 电子枪 多层膜 一氧化硅 1.55/550nm 600~8000 1200~1600 钼,钽,钨 增透膜、保护膜 五氧化二钽2.1/500nm 400~7000 1950 电子枪 增透膜
一氧化钛 2.35/500nm 400~12000 1700~2000 电子枪 多层膜、分光膜
二氧化钛 2.35/500nm 400~12000 2200 电子枪 增透膜、多层膜
氧化钇 1.87/550nm 400~8000 2500 电子枪 增透膜、多层膜 氧化锆 2.05/500nm 250~7000 2500 电子枪 增透膜、多层膜 三氧化二钛2.35/500nm 400~12000 1800~2000 钽,钨电子枪 增透膜、多层膜 氟化镧 1.58/500nm 220~14000 1450 钼,电子枪 增透膜
硅 3.4/3000nm 1000~9000 1500 电子枪 红外膜 锗 4.4/2000nm 1700~23000 1300~1500 电子枪,钨 红外膜
硒化锌 2.58/550nm 600~15000 600~900 钼,钽, 电子枪 红外膜 硫化锌 2.4/1200nm 400~14000 1100 钼,钽,电子枪 多层膜 氟化钇 1.49/632.8nm 200~15000 1100 钼 红外膜(10.6mm)、增透膜 氟化镨 1.51/632.8nm 220~15000 1400~1600 钼,电子枪 红外膜 (10.6mm)、增透膜
氟化铝 1.35/500nm 200~8000 800~1000 电子枪,钼,钽 紫外膜
氟化铅 1.76/470nm 220~9000 700~1000 铂 紫外膜 氧化钆 1.8/550nm 320~15000 2200 增透膜 五氧化三钛 2.35/500nm 400~12000 1750~2000
钛酸钡(BaTiO3 )单晶具有优异的光折变性能具有高的自泵浦相位共轭反射率和二波混频(光放大)效率,在光信息存储方面有巨大的潜在应用前景;同时它也是重要的衬底基片材料。 晶体参数:
晶体结构 生长方法 熔点 四方Tetragona(4m):13C 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容