GaN基增强型HEMT器件的制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610693110.X （22）申请日 2016.08.19

（71）申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

（10）申请公布号 CN107768248A

（43）申请公布日 2018.03.06

（72）发明人 周宇;钟耀宗;孙钱;冯美鑫;高宏伟;杨辉

（74）专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 王锋

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

GaN基增强型HEMT器件的制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种GaN基增强型HEMT的

制备方法，包括：以含氧的刻蚀气体等对HEMT的外延结构中的选定区域进行刻蚀，使所述选定区域中的选定材料(例如含铝物质)与含氧物质反应，直至形成能将刻蚀面覆盖的耐刻蚀物质，从而阻止刻蚀试剂对外延结构的刻蚀，实现刻蚀的自动终止，同时获得所需HEMT器件结构。籍由本发明可以实现HEMT器件制备过程中的刻蚀操作的精确控制，确保器件电学特性，极大降低采用诸

如p型栅技术、槽栅技术等制备增强型HEMT的难度，保证器件工艺的重复性、均匀性、稳定性，同时在刻蚀过程中，还可于刻蚀面上自然形成原位钝化层，从而有效消除由于后续钝化层沉积工艺而造成的表面损伤等问题，进而消除材料与器件电学特性恶化等问题。

法律状态

法律状态公告日

2018-03-06 2018-03-06 2018-03-30

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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权利要求说明书

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说明书

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