提高电感器Q值的方法以及电感器[发明专利]

来源：爱问旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：提高电感器Q值的方法以及电感器专利类型：发明专利发明人：黎坡

申请号：CN201410465851.3申请日：20140912公开号：CN1005836A公开日：20160316

摘要：本发明提供了一种提高电感器Q值的方法以及电感器。首先，提供高阻硅衬底，其中所述高阻硅暴露出将要形成电感器的硅片区域的衬底表面。然后，对衬底执行高密度等离子体化学气相淀积工艺以在衬底表面上形成层间绝缘层。其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性,在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱，并且随后在形成有陷阱的衬底表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层。最后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。

申请人：上海华虹宏力半导造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：郑玮

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文