集成电路[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：集成电路专利类型：实用新型专利发明人：J·H·张

申请号：CN201521126986.3申请日：20151229公开号：CN2052286U公开日：20160810

摘要：本实用新型涉及集成电路。一种晶体管包括有源区，该有源区由衬底支撑并且具有源极区、沟道区和漏极区。栅叠层在该沟道区之上延伸，并且第一侧壁包围该栅叠层。分别在该有源区的该源极区和该漏极区之上邻近该第一侧壁提供升高的源极区和升高的漏极区。第二侧壁周向地包围该升高的源极区和该升高的漏极区中的每一者。该第二侧壁在该升高的源极区和该升高的漏极区的顶表面上方延伸以限定由该第一侧壁和该第二侧壁横向地界定的多个区。导电材料填充这些区以分别形成到该升高的源极区和该升高的漏极区的源极接触和漏极接触。

申请人：意法半导体公司

地址：美国得克萨斯州

国籍：US

代理机构：北京市金杜律师事务所

代理人：王茂华

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