高压半导体装置、半导体装置及其形成方法[发明专利]

来源：爱问旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高压半导体装置、半导体装置及其形成方法专利类型：发明专利

发明人：田威廉,陈富信,林瑞文,伍佑国申请号：CN200610075255.X申请日：20060417公开号：CN1953209A公开日：20070425

摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施例包括形成第一掺杂区与第二掺杂区。第一掺杂区与第二掺杂区可形成作为高压N型金属氧化物半导体晶体管的双扩散漏极架构。第一掺杂区的栅极侧边缘设置于部分栅电极的下方。第二掺杂区形成于第一掺杂区内，且相邻于栅电极。第二掺杂区的栅极侧边缘与最接近的栅电极间隙壁的侧壁相距第一距离。第二掺杂区的隔离区侧边缘与最接近的隔离区的侧壁相距第二距离。本发明可有效地改进HVMOS的性能。

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

地址：中国台湾新竹市

国籍：CN

代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文