低温与超导 超导技术 Ｃｒｙｏ．＆Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ 第３８卷第１１期 Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｖｏｌ＿３８ Ｎｏ．１１ 高温ＤＣ 同胍 ＳＱＵＩＤ探针显微镜在半导体样品 检测中的应用 孔祥燕’，中谷悦起 ，系崎秀夫 （１．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海２０００５０； ２．大阪大学基础工学研究科，日本大阪府丰中市５６０—８５３１） 摘要：扫描ＳＱＵＩＤ探针显微镜成像技术在半导体样品检测中得到了广泛应用。利用有限元分析方法对作为 ｌｆｕｘ ｇｕｉｄｅ的探针结构和ＳＱＵＩＤ的尺寸等参数对于系统空间分辨率和检测灵敏度的影响进行了仿真分析，并研究 了探针周围的屏蔽效果。利用建立的ＳＱＵＩＤ探针显微镜系统成功检测到太阳能电池中多晶硅的细微结构，并通 过检测互相垂直的两个方向的磁场，对太阳能电池中光致电流矢量分布进行了反演重构。 关键词：ＳＱＵＩＤ；探针显微镜；有限元分析；Ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ；半导体 Ｔｈｅ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉｇｈ—Ｔ ＤＣ ＳＱＵＩＤ ｐｒｏｂｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｉｎ ｔｈｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ Ｋｏｎｇ Ｘｉａｎｇｙａｎ ，Ｙｏｓｈｉｈｉｏｒ Ｎａｋａｔａｎｉ ，Ｈｉｄｅｏ Ｉｔｏｚａｋｉ （１．Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｉｒａｌｓ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｃｓ， Ｓｈａｈ【ｇｈａｉ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ ２０００５０，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｇｒａｄｕａｔｅ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｏｓａｋａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｏｙｏｎａｋａ Ｃｉｔｙ，Ｏｓａｋａ ５６０—８５３１，Ｊａｐａｎ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ＳＱＵＩＤ ｐｒｏｂｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｉｍａｇｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ｆｏ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ｔｈｅ ａｕｔｈｏｒ ｒｅｖｉｅｗｅｄ ｔｈｅ ｓｔｕｄｙ ｆｏ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｌｆｕｘ ｕｇｉｄｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｉｚｅ ｆｏ ＳＱＵＩＤ ｔｏ ｔｈｅ ｓｐａｔｉａｌ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｓｙｓｔｅｍ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅ ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ ａｒｏｕｎｄ ｔｈｅ ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ ｗａｓ ａｌｓｏ ｉｎｖｅｓｔｉ－ ｇａｔｅｄ．Ｔｈｅ ｓｙｓｔｅｍ ｗａｓ ｓｅｔ ｕｐ ａｎｄ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｍｉｃｒｏｓｔｕｒｃｔｕｒｅ ｉｎ ｔｈｅ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｗａｓ ｏｂｓｅｒｖｅｄ．Ｔｈｅ ｌｉｇｈｔ—ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｖｅｃｔｏｒ ｄｉｓｔｉｒｂｕｔｉｏｎ Ｗａｓ ｒｅｃｏｎｓｔｕｒｃｔｅｄ ｂｙ ｍｅａｓｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｔｗｏ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ｉｎ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｓａｍｐｌｅ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＳＱＵＩＤ，Ｐｒｏｂｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，Ｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ，Ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ，Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ １ 前言 因此提高其空间分辨率成为最重要的研究方 向之一。为了得到高的空间分辨率，ＳＱＵＩＤ应该 由于扫描ＳＱＵＩＤ显微镜具有非常高的灵敏 尽量距离探测样品近一些，而且ＳＱＵＩＤ应从局域 度，使其成为高分辨率微弱磁场成像仪器之 获取磁场。近年来，很多小组引进一个具有高磁 一＿１．２ Ｊ，尤其在集成电路和半导体测试方面应用 导率的探针引导磁通 Ｊ。有限元电磁模拟结果 广泛。要得到高的空间分辨率，ＳＱＵＩＤ距离被测 显示，此探针结构具有很好的磁通聚焦效果，并且 样品越近越好，同时，被测样品也要尽量靠近 探针的针尖尖形结构比钝形结构能更好的收集局 ＳＱＵＩＤ。低温扫描ＳＱＵＩＤ显微镜因为被测样品 域磁通 』，并将其传导到探针的顶部与ＳＱＵＩＤ进 和ＳＱＵＩＤ同在真空环境中，而这距离很近（几个 行耦合。 ． 微米），其空间分辨率可达几个微米＿３ Ｊ。而高温 本文将在前面研究的基础上，进一步利用三 扫描ＳＱＵＩＤ显微镜利用宝石窗口将ＳＱＵＩＤ与被 维电磁有限元模拟，对探针的性质深入研究，包括 测样品分开，使得检测空气室温下的样品成为可 探针与ＳＱＵＩＤ之间的耦合，探针周围的屏蔽效果 能 ｊ。尽管ＳＱＵＩＤ与样品间距可以尽量接近宝 等Ｌｌ引。实验上，利用自行的扫描ＳＱＵＩＤ探针显 石片厚度，但其空间分辨率仍比低温扫描ＳＱＵＩＤ 微镜系统，利用激光在太阳能电池中激励产生光 显微镜的要低。 致电流，并利用两个互相垂直的两个分量场反演 收稿１３期：２０１０—０７—２６ 作者简介：孔祥燕（１９７３一），女，博士，副研究员，主要从事超导量子干涉器件及其应用研究。 ・１４・ 超导技术 Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ 第１１期 出太阳能电池中电流矢量分布…＇ ，为研究半导 ３ｍｍ，探针尖部和顶部的直径分别为１０ｌｘｍ和 ２ｍｍ。探针磁导率设为１００，０００。探针尖部与有 体内部细微结构提供信息和依据。 ２有限元电磁模拟及仿真结果 为了深入研究探针的特性，我们利用三维电 磁仿真软件Ｖｅｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｏｐｅｒａ ３Ｄ设计一系列模 型，对单根导体产生的磁场分布，探针与导线， ＳＱＵＩＤ探针显微镜中探针与ＳＱＵＩＤ之间的耦合， 以及探针周围屏蔽效果等问题进行了研究。 ２．１ 单根导线产生的场 模型中导线长度为５ｍｍ，横截面为ｌＯｐ￣ｍ× １０１ｘｍ，通过导线的电流为ＤＣ １ｍＡ。因为其横截 面尺寸在微米量级，在导线中心位置和导线附近 需要细微计算网格，以避免磁场分析畸变和仿真 计算失真。模拟结果显示，在ｄ＝±ｈ处磁场最 强。ｈ是ＳＱＵＩＤ和导线之间的垂直距离，ｄ是二 者之间的横向工作距离。根据毕奥一萨伐尔定律 可以得到同样的结论。图１中的模拟结果和理论 结果符合的很好。 磁场强度 Ｆｉｇ．１ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｐｅａｋ ｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｖａｌｕｅ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ｏｆ ｓｉｎｇｌｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｌｉｎｅ ２．２ Ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ的模型设计 对于室温样品，由于ＳＱＵＩＤ处于低温真空环 境中，而且工艺上的给制作尺寸极小的 ＳＱＵＩＤ带来困难，扫描ＳＱＵＩＤ显微镜的空间分辨 率因此受到。为了提高空间分辨率，引入了 具有高磁导率的探针引导磁通。图２（ａ）是设计 的探针模型，其中黑线网格是电磁模拟处理单元。 模型中，探针的总长度为５ｍｍ，其中尖度为 图２（ａ） ｄ／ｍｍ 图２（ｂ） 图２ Ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ探针模拟模型（ａ）和探针顶部和探针尖 部扫描磁场分布（ｂ） Ｆｉｇ．２ Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｌｆｕｘ ｇｕｉｄｅ（ａ）ａｎｄ ｔｈｅ ｌｉｎｅ ｓｃａｎ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ０ｎ ｔｈｅ ｎｅｅｄｌｅ ｔｏｐ ａｎｄ ｔｉｐ ｐｏｓｉｔｉｏｎ（ｂ） 限长导线之间的距离为１０１￣ｍ。当改变横向工作 距离ｄ时，可以得到探针尖部和顶部的磁场分布， 如图２（ｂ）所示。可以看出，探针尖部，磁场极值 点距离很近，而探针顶部磁场极值点距离较远，这 是从探针上面的ＳＱＵＩＤ到导线的距离远大于针 第１１期 超导技术 Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ・１５・ 尖到导线的距离的缘故。因此，利用此探针可以 收集局域磁场，聚集在探针中并传输到探针顶部 与ＳＱＵＩＤ进行耦合。 ２．３ ＳＱＵＩＤ探针显微镜中ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ与ＳＱＵＩＤ 之间的耦合 ＳＱＵＩＤ环孔越大，耦合系数越大。这是因为大的 ＳＱＵＩＤ环孔可以收集到更多的磁通；ＳＱＵＩＤ与探 针距离越近耦合越强。结果显示，在ＳＱＵＩＤ环孔 为０．２ｍｍ×０．２ｍｍ，ＳＱＵＩＤ与探针顶部距离为０． １ｍｍ时，耦合系数可达１５％。需要采取措施将其 进一步提高。 ２．４ Ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ周围屏蔽筒的设计和屏蔽效果研究 模拟中我们发现，探针针尖附近大部分磁通 妊 垛 Ⅱ 被收集到探针中，但也有一些磁通漏掉了。为了 罂 提高集束效果，设想在针尖附近进行局部屏蔽。 因此作者设计了不同尺寸的屏蔽筒，探针上部外 径均为１７ｍｍ，内径为１５ｍｍ，探针针尖附近内径 分别为１．５ｍｍ，２ｍｍ，３ｍｍ，４ｍｍ，６ｒａｍ。仿真结果 表明¨ ，屏蔽筒可以使磁场两极值点间距缩短， 即探测局域场范围更小，但由于屏蔽吸收等原因， 图３不同模型中ＳＱＵＩＤ与探针之间的耦合系数 Ｆｉｇ．３ Ｔｈｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｆａｃｔｏｒ ｂｅｔｗｅｅｎ ＳＱＵＩＤ ａｎｄ ｎｅｅｄｌｅ ｉｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｍｏｄｅｌｓ 磁场绝对值有所降低；屏蔽筒内径越小，局域化越 强，但场的衰减越大。这就要求ＳＱＵＩＤ有更高的 磁场灵敏度。 表１中是不同仿真模型的比较，可以看出，相 对于无屏蔽情况，探针附加直径为１．５ｍｍ的屏蔽 筒与无屏蔽相比有一定优势，但与单纯尺寸较小 为了考察ＳＱＵＩＤ和探针之间的耦合效果，作 者设计了几种模型：不同的ＳＱＵＩＤ环孔大小， ＳＱＵＩＤ和探针顶部之间不同距离。其中，ＳＱＵＩＤ 垫片大小为２ｍｍ×２ｍｍ，ＳＱＵＩＤ薄膜厚度为 ２０００ｐ，ｍ。耦合系数定义为穿过ＳＱＵＩＤ磁通与探 针顶部磁通之比。图３为模拟结果。可以看出， 的ＳＱＵＩＤ相比，局域化基本没什么优势。但要达 到较高的空间分辨率，被测样品要和微小ＳＱＵＩＤ 一样，要置于真空环境中。 表１ 不同仿真模型的比较结果 Ｔａｂ．１ Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌｓ 光经光纤传输到ＳＱＵＩＤ附近，聚焦后打在样品 ３实验系统和结果讨论 ３．１实验系统 上。为了防止激光打在ＳＱＵＩＤ上，样品背面粘上 遮光胶。ＳＱＵＩＤ的位置，ＳＱＵＩＤ与探针的距离和 相对位置，激光光点的位置和大小均可以在ＣＣＤ 监控下调节。试验中ＳＱＵＩＤ和探针顶部的距离 在０．１ｍｍ～０．２ｍｍ之间。 图４是扫描ＳＱＵＩＤ探针显微镜系统框图。 高温ＳＱＵＩＤ磁强计被放置在屏蔽筒中，ＳＱＵＩＤ电 路输出通过模数采集卡与计算机相连，将输出数 实验发现，扫描ＳＱＵＩＤ显微镜系统中引入 据存储在计算机中。同时，计算机通过控制伺服 电机改变被测样品一太阳能电池的空间位置；激 ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ后，系统的噪声没有太大的变化，说明 ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ没有引入很多外界噪声…Ｊ。当波长不 ・１６・ 超导技术 Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ 第１１期 同时，扫描得到的图形基本一样。原因是不同波 示。因此所反映的图像信息基本相同。要想得到 不同的信息，需要更长波长的激光。 长的激光在太阳能电池中的穿透深度虽不同，但 均小于太阳能电池的厚度（～０．４ｍｍ），如图５所 图４扫描探针显微镜系统框图 Ｆｉｇ．４ Ｔｈｅ ｓｃｈｅｍａｔｉｃ ｇｒａｐｈ ｏｆ ＳＰＭ ｓｙｓｔｅｍ 电极 Ｐ—Ｓｉ ｎ－Ｓｉ 图５太阳能电池结构和不ｌ司波长的穿透深度 Ｆｉｇ．５ Ｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ ｄｅｐｔｈ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｌａｓｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｉ ３．２ 电流矢量分布反演 【 ｕ．】 （ｂ） 常用的电磁场反演算法非常复杂，作者利用 有限元模拟发现¨ ，当激光点与ＳＱＵＩＤ一探针中 心相对位置改变时，光致电流方向和被测磁场之 间有一定关系。利用互相垂直的两个方向磁场的 测量可以得出太阳能电池中电流矢量分布图，如 图６太阳能电池的光学像（ａ）和反演后的电流矢量分布 图（ｂ） Ｆｉｇ．６ Ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｅ ｏｆ（ａ）ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃｔｅｄ ｃｕｒ￣ ｒｅｎｔ ｖｅｃｔｏｒ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎ（ｂ）ｔｈｅ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ 出电极的位置以及内部结构，为半导体样品的测 试提供信息和分析依据。此方法使电流反演大大 简化。 图６所示。与光学像（图６（ａ））相比，基本能反映 ４小结 作者综述了扫描ＳＱＵＩＤ显微镜的发展，分析 了作为ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ的探针特性。并利用有限元电 磁模拟设计了探针周围的屏蔽筒，对其屏蔽特性 进行比较分析和说明。实验上，建立了激光扫描 ＳＱＵＩＤ探针显微镜系统，利用该系统对太阳能电 （下转２０页） ・２０・ 超导技术 Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ 第１Ｉ期 ［２］Ｂｅａｎ Ｃ Ｐ．Ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｈａｒｄ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］． ４ 总结 Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．，１９６２，８：２５０～２５３． ｆ３］Ｃｌａａｓｓｅｎ Ｊ Ｈ，Ｒｅｅｖｅｓ Ｍ Ｅ，Ｓｏｕｌｅｎ Ｒ Ｊ．Ａ ｃｏｎｔａｃｔｌｅｓｓ 提出一种超导薄膜临界态模型用来计算交流 ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ 磁场下薄膜感生三次谐波电压，并对薄膜临界电 ａｎｄ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍｓ［Ｊ］． Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．，１９９１，６２：９９６—１００４． 流密度进行无损检测。为了验证我们的理论，分 别对四片超导薄膜在不同频率下进行了三次谐波 ［４］Ｍａｗａｔａｒｉ Ｙ，Ｙａｍａｓａｋｉ Ｈ，Ｎａｋａｇａｗａ Ｙ．Ｃｒｉｔｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｔｈｉｒｄ—ｈａｒｍｏｎｉｃ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｎ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ 和临界电流密度测量。三次谐波电压理论与实验 ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２００２，８１：２４２４—２４２６． 曲线具有很好的一致性。与四点传输比较，我们的 ［５］Ｚｈａｎｇ Ｘｕ，Ｗｕ Ｚｈｉｚｈｅｎ，Ｚｈｏｕ Ｔｉｅｇｅ，ｅｔ ａ１．Ａ ｎｅｗ ｍｏｄｅｌ 方法测量超导薄膜临界电流密度相对误差在５％。 ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｔｈｉｒｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｎ ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍｅａｓ— ｕｒｅｍｅｎｔ ｆｏｒ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ 参考文献 ｉｆｌｍｓ『Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｂ，２０１０． ［６］谢清连，阎少林，赵新杰，等．高温退火对蓝宝石基片 ［１］伊长虹，胡芳仁，张庆刚，等．在密封盒半密封容器内 的表面形貌和对ＣｅＯ 缓冲层以及ＴＩ一２２１２超导薄 生长ｒＩ’ｌ：Ｂａ ＣａＣｕ Ｏ 高温超导薄膜的研究［Ｊ］．低温 膜生长的影响［Ｊ］．物理学报，２００８，５７：５１９—５２５． 与超导，２００４，３２：４３—４６． （上接１６页） 池进行成像分析，并利用互相垂直的两个方向磁 ［７］Ｇｕｄｏｓｈｎｉｋｏｖ Ｓ Ａ，Ｄｅｒｙｕｚｈｋｉｎａ Ｙ Ｖ，Ｒｕｄｅｎｃｈｉｋ Ｐ Ｅ，ｅｔ 场的测量可以得出太阳能电池中电流矢量分布 ａ１．Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ ｇｕｉｄｅ ｆｏｒ ｈｉｇｈ—ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ＳＱＵＩＤ Ｍｉ－ 图，使电流反演得到简化。 ｃｒｏｓｃｏｐｅ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ａｐｐ１．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．，２００１ （１１）：２１９． 参考文献 ［８］Ｎａｇａｉｓｈｉ Ｔ，Ｍｉｎａｍｉｍｕｒａ Ｋ，Ｉｔｏｚａｋｉ Ｈ．ＨＴＳ ＳＱＵＩＤ ｍｉ— ｃｒｏｓｃｏｐｅ ｈｅａｄ ｗｉｔｈ ｓｈａｒｐ ｐｅｒｍａｌｌｏｙ ｒｏｄ ｆｏｒ ｈｉｓｈ ｓｐａｔｉａｌ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ａｐｐ１．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．，２００１ ［１］Ｋｉａｌｅｙ Ｊ Ｒ，Ｗｉｋｓｗｏ Ｊ Ｐ．Ｓｃａｎｎｉｎｇ ＳＱＵＩＤ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ （１１）：２２６． ［Ｊ］．Ａｎｎｕ．Ｒｅｖ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．，１９９９，２９：１ｌ７． ［９］Ｋｏｎｄｏ Ｔ，Ｉｔｏｚａｋｉ Ｈ．Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｌｆｕｘ ｇｕｉｄｅ ｏｆｒ ＨＴＳ ＳＱＵＩＤ ［２］Ｋｉ￣ｌｅｙ Ｊ Ｒ．ＳＱＵＩＤ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ ｓｔｕｄｉｅｓ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｅａ Ｃ，２００３，３９２—３９６：１４０１． ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ，２００２，３６８：５５． ［１０］Ｋｏｎｇ Ｘ Ｙ，Ｓａｋｕｔａ Ｋ，ｈｏｚａｋｉ Ｈ．Ａ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｈｉｅｌｄ ａ— ［３］Ｋｉ￣ｌｅｙ Ｊ Ｒ，Ｋｅｔｅｈｅｎ Ｍ Ｂ，Ｓｔａｗｉａｓｚ Ｋ Ｇ，ｅｔ ａ１．Ｈｉｇｈ— ｒｏｕｎｄ ｔｈｅ ｌｆｕｘ ｇｕｉｄｅ ｉｎ ａ ＳＱＵＩＤ ｐｒｏｂｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｗｉｔｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｓｃａｎｎｉｎｇ ＳＱＵＩＤ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ［Ｊ］．Ａｐｐ１． ｉｆｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ－ Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９５，６６：１ｌ３８． ｏ１．，２００７，２０：１１４０． ［４］Ｌｅｅ Ｔ Ｓ，Ｃｈｅｍｌａ Ｙ Ｒ，Ｄａｎｔｓｋｅｒ Ｅ，ｅｔ ａ１．Ｈ Ｊｉｇｈ—Ｔ ［１１ ｊ Ｋｏｊｉｍａ Ｋ，Ｓｕｄａ Ｓ，Ｋｏｎｇ Ｘ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｎｏｎ—ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖｅ ＳＱＵＩＤ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｆｏｒ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓａｍｐｌｅｓ［Ｊ］． ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｕｓｉｎｇ ｌａｓｅｒ ＳＱＵＩＤ ｍｉｃｏｒ・ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ａｐｐ１．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．，１９９７（７）：３１４７． ｓｃｏｐｅ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ，２００６，４４５—４４８：９７９． ［５］Ｗａｎｇ Ｈ Ｗ，Ｋｏｎｇ Ｘ Ｙ，Ｒｅｎ Ｙ Ｆ，ｅｔ ａ１．Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｉｃｒｏｓ— ｒ１２］Ｋｏｎｇ Ｘ Ｙ，Ｋ￣ｉｍａ Ｋ，Ｓａｋｕｔａ Ｋ，ｅｔ ａ１．Ｃｕｒｒｅｎｔ ｖｅｃｔｏｒ ｃｏｐｙ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｈｉｇｈ—Ｔ ＳＱＵＩＤｓ ｆｏｒ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｏｂｓｅｒｖｅｄ ｂｙ ｌａｓｅｒ ＳＱＵＩＤ ｓａｍｐｌｅｓ［Ｊ］．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ１．，２００３，１６： ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ｗｉｔｈ ｎｅｅｄｌｅ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ，２００７，４６３— １３１０． ４６５．１ｏ４８． ［６］Ｐｉｔｚｉｕｓ Ｐ，Ｄｗｏｒａｋ Ｖ，Ｈａｒｔｍａｎｎ Ｕ．Ｅｘｔ．Ａｂｓｔｒ．６ｔｈ Ｉｎｔ． Ｓｕｐｅｒｅｏｎｄ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｃｏｎｆ．（ＩＳＥＣ＿９７）．１９９７，３３９５．
