专利名称：编程电阻存储器件的方法专利类型：发明专利
发明人：白寅圭,李将银,吴世忠,南坰兑,郑峻昊,林恩京申请号：CN200710148167.2申请日：20070828公开号：CN101136247A公开日：20080305
摘要：提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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