搜索
您的当前位置:首页磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备[发明专利]

磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备[发明专利]

来源:爱问旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备专利类型:发明专利发明人:张启平,孙文波申请号:CN201510003435.6申请日:20150105公开号:CN104451583A公开日:20150325

摘要:一种磁控溅射真空室进气装置及使用该进气装置的磁控溅射设备,该磁控溅射真空室进气装置包括用于接收并混合气体的混气盒、将气体通入真空室内的进气盒以及连接两者的连接管,所述混气盒具有一个或多个进气管。该进气装置可提高气体进入真空室后分布的均匀性,可提高在通入混合气体时气体混合的效果;还可有效地降低在磁控溅射镀膜进气过程中气体对真空室内精密设备的冲击力,从而延长设备的使用寿命。

申请人:合肥京东方显示光源有限公司,京东方科技集团股份有限公司

地址:230011 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号

国籍:CN

代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:彭久云

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容

Top