专利名称：一种基于ALD沉积AlO作掩膜的超声湿法刻蚀方法专利类型：发明专利
发明人：谢浩,胡淑红,林虹宇,黄田田,陈鑫,戴宁申请号：CN202010384277.4申请日：20200509公开号：CN111584359A公开日：20200825
摘要：本发明公开了一种基于ALD沉积AlO作掩膜的超声湿法刻蚀方法。本方法步骤如下：第一步，使用原子沉积技术(ALD)在Ⅲ‑Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积AlO薄膜；第二步，采用光刻、腐蚀工艺，选择性刻蚀AlO，形成AlO台面图案掩膜；第三步，在超声清洗机中边超声边进行湿法刻蚀，刻蚀出所需台面；第四步，使用BOE腐蚀液去除AlO掩膜。本发明的优点在于：一方面，使用ALD沉积AlO替代光刻胶作掩膜，防止因湿法刻蚀时间过长或超声振动而发生脱胶的现象；另一方面，边超声边进行湿法腐蚀，可以防止导电残留物富集在台阶侧面、形成导电通道，有效地降低器件暗电流密度、提高器件性能。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市虹口区玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海沪慧律师事务所
代理人：郭英
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容