专利名称：改善栅极多晶硅层电阻值的方法专利类型：发明专利发明人：金平中
申请号：CN2004100376.7申请日：20040908公开号：CN1747135A公开日：20060315
摘要：本发明提供一种改善栅极多晶硅层电阻值的方法，它利用硅、锗或氟的离子对栅极结构的栅极非晶硅层进行离子注入，并且在对半导体衬底进行退火工艺来缓和轻掺杂所造成的半导体衬底损伤时，同时使栅极非晶硅层成长形成较大的硅晶粒结构，从而有效地减少栅极多晶硅层在电子传递时，电子受到晶界阻碍的机率，进而降低栅极多晶硅层电阻值较高的缺点。
申请人：上海宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：余明伟
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