一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用[发明专利]

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专利名称：一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用专利类型：发明专利

发明人：董显林,宋丽蓉,陈莹,王根水申请号：CN201310740835.6申请日：20131228公开号：CN103820760A公开日：20140528

摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到。该薄膜的制备是先制备La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材；然后利用得到的La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材在硅衬底基片上制备镍酸镧底电极；再利用得到的镍酸镧底电极、采用射频磁控溅射法沉积所述的钛酸锶钡薄膜。本发明实现了采用磁控溅射法制备镧和锰共掺杂的钛酸锶钡薄膜；且制得的BST薄膜呈钙钛矿结构，单一相，无杂相，且具有(100)择优取向；尤其是，具有高介电可调性、低介电损耗以及适中介电常数，有望应用于制作介电调谐器件。

申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所

地址：200050 上海宁区定西路1295号

国籍：CN

代理机构：上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：何葆芳

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