具有不同材料结构元件的半导体晶体管及其形成方法[发明专利]

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专利名称：具有不同材料结构元件的半导体晶体管及其形成方

法

专利类型：发明专利

发明人：沃恩-于·西恩,迪纳·H·特里约索,比克-耶·纽耶申请号：CN200580025816.9申请日：20050722公开号：CN1993815A公开日：20070704

摘要：使用半导体衬底(14)并在半导体衬底上方形成控制电极(49)，以形成晶体管(10)。在半导体衬底内并与控制电极相邻地形成第一电流电极(70)。第一电流电极具有第一预定半导体材料。在半导体衬底内并与控制电极相邻地形成第二电流电极(84)，以在半导体衬底内形成沟道(26)。第二电流电极具有与第一预定半导体材料不同的第二预定半导体材料。选择第一预定半导体材料，以优化第一电流电极的带隙能，并且选择第二预定半导体材料以优化沟道应变。

申请人：飞思卡尔半导体公司

地址：美国得克萨斯

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王永刚

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