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一种器件隔离工艺及CIS器件结构

来源：爱问旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410141567.0 （22）申请日 2014.04.09

（71）申请人武汉新芯集成电路制造有限公司

地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

（10）申请公布号 CN1039432A

（43）申请公布日 2014.07.23

（72）发明人王连红;陈俊

（74）专利代理机构上海申新律师事务所

代理人吴俊

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种器件隔离工艺及CIS器件结构

（57）摘要

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及

一种器件隔离工艺及CIS器件结构，通过在进行背光照射工艺时，于衬底背面减薄工艺后，在该衬底的背面覆盖一硬掩模层，并以该硬掩模层为掩模在衬底中对应的隔离区域中刻蚀形成隔离通孔，并继续在该隔离通孔中制备第一隔离孔结构和第二隔离孔结构；由于位于衬底中的第一隔离孔结构的材质为绝缘材料，可以有效的隔离该衬底中的电子串扰，而位于硬掩模层中的第二隔离

孔的材质则为金属或金属氧化物，又能有效的隔离相邻的像素单元之间的光子串扰，进而有效的降低了CIS器件结构中的串扰现象，大大的提高了制备的CIS器件的性能。

法律状态

法律状态公告日

2014-07-23 2014-07-23 2014-08-20 2014-08-20 2017-09-26

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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