沟槽型碳化硅肖特基功率器件[发明专利]

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专利名称：沟槽型碳化硅肖特基功率器件专利类型：发明专利发明人：周炳

申请号：CN201110083281.8申请日：20110402公开号：CN102184971A公开日：20110914

摘要：本发明为沟槽型碳化硅肖特基功率器件，涉及电子元器件领域，现在所用的肖特基功率器件为由上金属电极，N型碳化硅层和下金属电极组成的平面结构，当器件电压反向偏置时，即上负下正，电流关断，但实际上很难完全关断，一般漏电流较大，为此，本发明设计了沟槽型结构，即在N型碳化硅层上开有多个沟槽，上金属电极延伸到沟槽中，在沟槽中上金属电极和N型碳化硅层之间也具有二氧化硅绝缘层，本发明大大提高了此区域的电阻，从而进一步减低了漏电流几十倍，本发明具有结构简单，加之方便，漏电流低的有益效果。

申请人：张家港意发功率半导体有限公司

地址：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区(国泰北路1号留学生创业园B栋)

国籍：CN

代理机构：北京中恒高博知识产权代理有限公司

代理人：夏晏平

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