专利名称：温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnYbVO专利类型：发明专利发明人：相怀成,唐莹,方维双申请号：CN201510669381.7申请日：20151019公开号：CN105236979A公开日：20160113
摘要：本发明公开了一种可低温烧结的四方氧化锆结构超低介电常数微波介电陶瓷LiZnYbVO及其制备方法。（1）将纯度为99.9%（重量百分比）以上的LiCO、ZnO、YbO和VO的原始粉末按LiZnYbVO的组成称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在750~800℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在800℃以下烧结良好，介电常数达到12.5～13.0，其品质因数Qf值高达147000-181000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。
申请人：桂林理工大学
地址：541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
国籍：CN
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