专利名称：硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜专利类型：发明专利
发明人：胡华勇,张士健,韩秋华,何有丰申请号：CN201010245390.0申请日：20100726公开号：CN102347279A公开日：20120208
摘要：本发明提供了一种硅凹槽光刻工艺，按顺序包括以下步骤：多晶硅栅的形成；薄膜介电层沉积；光刻胶的形成；在PMOS部分形成硅凹槽：图案化所述光刻胶，保留所述PMOS部分多晶硅栅端位置的光刻胶，然后以图案化的所述光刻胶为掩膜，将所述多晶硅栅两侧的薄膜介电层刻蚀掉，并在硅衬底上刻蚀出硅凹槽；光刻胶的去除；异质结外延生长。本发明的硅凹槽光刻工艺通过将PMOS部分中多晶硅栅端位置上方的光刻胶予以保留，使其对多晶硅栅外层的薄膜介电层予以保护，避免被过刻蚀和暴露多晶硅栅，进而避免了在进行锗化硅外延生长时，在上述的多晶硅栅端位置外延生长锗化硅。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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