减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法[发明专利]

来源：爱问旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法专利类型：发明专利发明人：苏世芳

申请号：CN200710141626.4申请日：20070817公开号：CN101369553A公开日：20090218

摘要：一种减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法，包括下列步骤。首先，提供基底于反应室中，且此基底中具有沟槽。然后，进行第一沉积步骤，在沟槽中部分地填入介电材料。接着，进行蚀刻步骤，部分地移除沟槽中的介电材料。之后，进行第二沉积步骤，在沟槽中部分地填入介电材料，其中在第二沉积步骤中所使用的反应气体包括载气、含氧气体、含硅气体与含氢气体，且在载入载气与含氧气体至反应室中并开启射频电源一段时间后，再载入含硅气体与含氢气体至反应室中。

申请人：联华电子股份有限公司

地址：中国新竹科学工业园区

国籍：CN

代理机构：北京市柳沈律师事务所

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文