专利名称：表面波等离子体CVD设备以及成膜方法专利类型：发明专利发明人：铃木正康
申请号：CN201080044034.0申请日：20101004公开号：CN1029194A公开日：20120704
摘要：一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。
申请人：株式会社岛津制作所
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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