一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管[发明专利]

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专利名称：一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管专利类型：发明专利

发明人：郭立强,万青,杨园园,竺立强,吴国栋申请号：CN2013100786.5申请日：20130312公开号：CN104051243A公开日：20140917

摘要：本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极和漏电极、栅电极、栅绝缘层、沟道层、钝化层，其中，沟道层采用上述化学气相沉积技术得到的非晶态碳化硅薄膜。本发明非晶态碳化硅薄膜的制作方法操作简便，适于大面积连续生产。本发明非晶态碳化硅薄膜晶体管是在廉价的衬底上得到的，无需考虑碳化硅本体的翘曲等问题，且得到的薄膜晶体管具有耐压、抗击穿的特点。

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

国籍：CN

代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：刘诚午

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